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长城汽车与意法半导体签署战略合作协议,稳定SiC芯片供应

2024-03-14 11:31 | 作者:竹隐 | 来源:电子工程网阅读量:8157 |

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据介绍,新能源汽车逐渐由 400V 向 800V 高压平台推进,以满足消费者日常出行和长途旅行的市场需求。SiC 芯片因其出色的耐高压、高结温应用等特性,被广泛应用于电驱逆变器、电动汽车车载充电(OBC)和直流-直流变换器(DC-DC)等关键零部件中。长城汽车表示,此次与意法半导体就 SiC 芯片业务签署战略合作协议,将进一步推动长城汽车垂直整合,加大新能源发展力度。IT之家注意到,意法半导体公司去年 12 月还与理想汽车签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议,意法半导体将为理想汽车提供碳化硅 MOSFET,支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。理想汽车推出的 800V 高压纯电平台,便在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代 1200V SiC MOSFET 技术。

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